Kondensatorlose 1-Transistor-DRAM-Zelle, integrierte Schaltung mit Anordnung aus kondensatorlosen 1-Transistor-DRAM-Zellen und Verfahren zur Herstellung von Anordnungen aus kondensatorlosen 1-Transistor-DRAM-Zellen
EP2772942
Art A3
31. Dezember 2014
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2772942
- Aktenzeichen
- EP14001506
- Anmeldetag
- 25. Juni 2007
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L27/108// H01L27/12H01L21/84H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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