Verfahren zur Herstellung eines P-Dotierten Aluminiumoberflächenbereichs eines N-Dotierten Halbleitersubstrats
EP2774183
Art A1
10. September 2014
Anmelder: E. I. du Pont de Nemours and Company, E. I. Du Pont de Nemours and Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2774183
- Aktenzeichen
- EP12787620
- Anmeldetag
- 5. November 2012
- Veröffentlichung
- 10. September 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/0224H01L31/18
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- E. I. du Pont de Nemours and Company
E. I. Du Pont de Nemours and Company - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
DuPont
US-amerikanischer Chemie- und Materialkonzern mit Sitz in Wilmington, Delaware. DuPont entwickelt Spezialchemikalien, Polymere, Elektronikmaterialien sowie Werkstoffe für Industrie, Bauwesen, Elektronik und Gesundheitswesen.
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Hoffmann, Benjamin
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