Halbleiter-Wafer mit einer Schicht aus AlzGa1-zN und Herstellungsverfahren
EP2779213
Art B1
6. Mai 2015
Anmelder: Siltronic AG, IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2779213
- Aktenzeichen
- EP13158844
- Anmeldetag
- 12. März 2013
- Veröffentlichung
- 6. Mai 2015
- Erteilung
- 6. Mai 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Siltronic AG
IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
375 Patente in unserer Datenbank
🇩🇪
IHP – Innovations for High Performance Microelectronics
Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.
150 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Baar, Christian
München, Deutschland
26
Patente gesamt
6
Fachgebiete
1
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
- (deleted)