Spannungs-Strom-Wandlerarchitektur zur Verbesserung der PWM-Leistung von Ausgangstreibern

EP2779794 Art B1 31. Oktober 2018

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2779794
Aktenzeichen
EP14158106
Anmeldetag
6. März 2014
Veröffentlichung
31. Oktober 2018
Erteilung
31. Oktober 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H05B33/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.918 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen