Herstellungsverfahren für ein Siliciumcarbidhalbleiterbauelement
EP2784805
Art A1
1. Oktober 2014
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., National University Corporation Nara Institute of Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2784805
- Aktenzeichen
- EP12851007
- Anmeldetag
- 2. Oktober 2012
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/205H01L21/302H01L21/3065H01L21/329H01L29/06H01L29/12H01L29/739H01L29/78H01L29/861H01L29/868H01L21/04H01L21/02H01L21/308H01L29/423H01L29/66H01L29/16H01L29/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
National University Corporation Nara Institute of Science and Technology - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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