Siliciumcarbid-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2784821
Art B1
4. Dezember 2019
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., National University Corporation Nara Institute of Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2784821
- Aktenzeichen
- EP12851689
- Anmeldetag
- 12. September 2012
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2019
- Erteilung
- 4. Dezember 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/12H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
National University Corporation Nara Institute of Science and Technology - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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