Bipolartransistor mit obenliegendem Kollektor und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2784822
Art B1
19. Dezember 2018
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2784822
- Aktenzeichen
- EP13160864
- Anmeldetag
- 25. März 2013
- Veröffentlichung
- 19. Dezember 2018
- Erteilung
- 19. Dezember 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/732H01L21/331H01L29/08H01L29/40H01L29/10// H01L29/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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