Herstellungsverfahren für Siliziumkarbid Halbleiterbauelement

EP2790225 Art B1 23. Januar 2019

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2790225
Aktenzeichen
EP12854962
Anmeldetag
29. Oktober 2012
Veröffentlichung
23. Januar 2019
Erteilung
23. Januar 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/329H01L29/872H01L21/04H01L29/16// H01L29/47H01L29/06
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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