Herstellungsverfahren für Siliziumkarbid Halbleiterbauelement
EP2790225
Art B1
23. Januar 2019
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2790225
- Aktenzeichen
- EP12854962
- Anmeldetag
- 29. Oktober 2012
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2019
- Erteilung
- 23. Januar 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/329H01L29/872H01L21/04H01L29/16// H01L29/47H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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