Nichtflüchtiges Resistives Speicherelement mit einer Passivierten Umschaltschicht
EP2791986
Art A1
22. Oktober 2014
Anmelder: SanDisk 3D LLC, Kabushiki Kaisha Toshiba 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2791986
- Aktenzeichen
- EP12853845
- Anmeldetag
- 21. November 2012
- Veröffentlichung
- 22. Oktober 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L47/00H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SanDisk 3D LLC
Kabushiki Kaisha Toshiba - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk 3D
SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.
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🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Tothill, John Paul
London, Großbritannien
844
Patente gesamt
28
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte