Verfahren zur Herstellung von Gruppe-Iii-Nitridkristallen, Gruppe-Iii-Nitridkristalle und Halbleitervorrichtung
EP2796594
Art A1
29. Oktober 2014
Anmelder: Osaka University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2796594
- Aktenzeichen
- EP13736325
- Anmeldetag
- 10. Januar 2013
- Veröffentlichung
- 29. Oktober 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B19/02C30B29/38H01L21/208H01L21/02C30B19/12H01L29/20C30B29/40// H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Osaka University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Osaka University
Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.
2.434 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Duckworth, Timothy John
London, Großbritannien
1.702
Patente gesamt
31
Fachgebiete
24
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
J A Kemp LLP
J A Kemp LLP · London