MOS-Transistorstruktur als Lichtsensor
EP2797114
Art B1
23. Januar 2019
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2797114
- Aktenzeichen
- EP13164997
- Anmeldetag
- 23. April 2013
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2019
- Erteilung
- 23. Januar 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/144H01L27/146H04N5/378G01J1/42G01J1/46
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank