Lawinenphotodiode mit Niedriger Durchbruchspannung
EP2798677
Art A1
5. November 2014
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2798677
- Aktenzeichen
- EP11879014
- Anmeldetag
- 29. Dezember 2011
- Veröffentlichung
- 5. November 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/107H01L31/0352
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Vertreten von
Jennings, Vincent Louis
Sheffield, Großbritannien
747
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9
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