Vorspannung einer Speicherzelle mit geteiltem Gatter während eines Abschaltmodus

EP2800098 Art B1 2. März 2016

Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2800098
Aktenzeichen: EP14165574
Anmeldetag: 23. April 2014
Veröffentlichung: 2. März 2016
Erteilung: 2. März 2016
Rechtsraum: EP
IPC: G11C16/08G11C16/30G11C16/34G11C7/04G11C7/12G11C16/22G11C11/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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