Verfahren zum Herstellen eines bipolaren Transistors, bipolarer Transistor und integrierte Schaltung

EP2800127 Art B1 8. Juli 2020

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2800127
Aktenzeichen: EP13166124
Anmeldetag: 1. Mai 2013
Veröffentlichung: 8. Juli 2020
Erteilung: 8. Juli 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/331H01L29/737H01L29/40

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Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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