Halbleitervorrichtung und Schaltung mit dynamischer Steuerung des elektrischen Feldes
EP2806460
Art B1
1. Januar 2020
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2806460
- Aktenzeichen
- EP14169718
- Anmeldetag
- 23. Mai 2014
- Veröffentlichung
- 1. Januar 2020
- Erteilung
- 1. Januar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/40H01L29/732H03F3/20
Abstract
A circuit, comprising a semiconductor device with one or more field gate terminals for controlling the electric field in a drift region of the semiconductor device; and a feedback circuit configured to dynamically control a bias voltage or voltages applied to the field gate terminal or terminals, with different control voltages used for different semiconductor device characteristics in real-time in response to a time-varying signal at a further node in the circuit.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank