Speicher mit multiblen Datenraten und Lese-Timing-Informationen
EP2808800
Art B1
13. Juli 2016
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2808800
- Aktenzeichen
- EP14169469
- Anmeldetag
- 22. Mai 2014
- Veröffentlichung
- 13. Juli 2016
- Erteilung
- 13. Juli 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F13/16G06F13/42G11C7/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.629 Patente in unserer Datenbank
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.413 Patente in unserer Datenbank