Schottky-Barrierediode mit Monokristallinem Aln-Substrat und Verfahren zu deren Herstellung
EP2811526
Art B1
18. November 2020
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2811526
- Aktenzeichen
- EP13742926
- Anmeldetag
- 30. Januar 2013
- Veröffentlichung
- 18. November 2020
- Erteilung
- 18. November 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/329H01L29/872H01L29/20// H01L21/20H01L29/47H01L29/45
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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Fachgebiete
Vertreten von
Jansen, Cornelis Marinus
Den Haag, Niederlande
3.760
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Fachgebiete
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V.O
V.O · Den Haag