Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP2811528 Art A1 10. Dezember 2014

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2811528
Aktenzeichen: EP14169100
Anmeldetag: 20. Mai 2014
Veröffentlichung: 10. Dezember 2014
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L21/336H01L29/423H01L29/40// H01L29/45H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von