Zusammensetzung zur Bildung einer N-Leitenden Diffusionsschicht, Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats mit einer N-Leitenden Diffusionsschicht und Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenelements
EP2819149
Art A1
31. Dezember 2014
Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2819149
- Aktenzeichen
- EP13751158
- Anmeldetag
- 10. Januar 2013
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/225C03C8/16C08L101/00C09D201/00H01L31/0224H01L31/068H01L31/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi Chemical Company, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi Chemical
Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.
2.257 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München