Halbleiterelement und Herstellungsverfahren für das Halbleiterelement
EP2819152
Art A1
31. Dezember 2014
Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2819152
- Aktenzeichen
- EP12869179
- Anmeldetag
- 4. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/338H01L21/205H01L29/15// H01L29/10H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK Insulators, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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