Verfahren zur Behandlung eines Gruppe-Iii-Nitrid-Substrates und Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen Substrates

EP2821532 Art B1 10. Januar 2018

Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2821532
Aktenzeichen: EP14772262
Anmeldetag: 20. März 2014
Veröffentlichung: 10. Januar 2018
Erteilung: 10. Januar 2018
Rechtsraum: EP
IPC: C30B25/20C30B29/38H01L21/20H01L21/205H01L21/324C30B25/18C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NGK Insulators, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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