Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

EP2822031 Art A3 10. Juni 2015

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2822031
Aktenzeichen
EP14170909
Anmeldetag
3. Juni 2014
Veröffentlichung
10. Juni 2015
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/49H04L25/02H01F19/04// H01L23/495
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Renesas Electronics Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen