Verfahren zum Erzeugen eines Dotierbereiches in einer Halbleiterschicht

EP2823505 Art B1 2. Januar 2019

Anmelder: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2823505
Aktenzeichen: EP13712158
Anmeldetag: 5. März 2013
Veröffentlichung: 2. Januar 2019
Erteilung: 2. Januar 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/225H01L31/18H01L31/0216

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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