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EP2825960 Art B1 24. April 2019

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2825960
Aktenzeichen
EP13762035
Anmeldetag
8. März 2013
Veröffentlichung
24. April 2019
Erteilung
24. April 2019
Rechtsraum
EP
IPC
G06F11/10G06F12/00G06F13/14G11C29/42G06F3/06
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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