Disparitätsvektorkonstruktionsverfahren für 3D-Hevc
EP2826246
Art A1
21. Januar 2015
Anmelder: QUALCOMM INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2826246
- Aktenzeichen
- EP13713298
- Anmeldetag
- 14. März 2013
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H04N7/26H04N7/36H04N7/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- QUALCOMM INCORPORATED
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Qualcomm
US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in San Diego. Qualcomm entwickelt Chipsätze und drahtlose Kommunikationstechnologien für Mobiltelefone, Netzwerke, Automobile und vernetzte Geräte.
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Vertreten von
Bentall, Mark James
London, Großbritannien
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6
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