Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements aus Siliciumcarbid

EP2830084 Art A1 28. Januar 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2830084
Aktenzeichen: EP13765100
Anmeldetag: 5. Februar 2013
Veröffentlichung: 28. Januar 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/306H01L29/66H01L29/78H01L21/20H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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