HF-Leistungsvorrichtung

EP2830089 Art B1 12. Juli 2017

Anmelder: Ampleon Netherlands B.V., Samba Holdco Netherlands B.V., NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2830089
Aktenzeichen
EP13178065
Anmeldetag
25. Juli 2013
Veröffentlichung
12. Juli 2017
Erteilung
12. Juli 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/66H03F1/56
Offizieller Volltext

Abstract

In RF power transistors, the current distribution along edges of the transistor die may be uneven leading to a loss in efficiency and in the output power obtained, resulting in degradation in performance. When multiple parallel dies are placed in a package, distribution effects along the vertical dimension of the dies are more pronounced. A RF power device (600) for amplifying RF signals is disclosed which modifies the impedance of a portion of the respective one of the input lead (20) and the output lead (18) and redistributes the current flow at an edge of the transistor die (24,24').

Anmelder

Firmen
Ampleon Netherlands B.V.
Samba Holdco Netherlands B.V.
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Kanzlei
Arnold & Siedsma Den Haag, Niederlande

Arnold & Siedsma wurde 1920 gegründet und liegt im Haager Büro in Laufnähe zum Benelux-Amt für geistiges Eigentum. Mit Standorten in den Niederlanden, Belgien, München und London stützt sie sich auf ein weltweites Agentennetzwerk.

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