Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrem Entwurf
Anmelder: Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited, Fujitsu Semiconductor Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2830092
- Aktenzeichen
- EP14177616
- Anmeldetag
- 18. Juli 2014
- Veröffentlichung
- 5. Juli 2023
- Erteilung
- 5. Juli 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02H10B53/40// H01L27/08G11C11/22
Abstract
A semiconductor device includes: a semiconductor substrate having a memory cell array region and a peripheral circuit region; a ferroelectric capacitor formed over the semiconductor substrate in the memory cell array region; and a dummy capacitor formed over the semiconductor substrate in the peripheral circuit region, with a layered structure same as that of the ferroelectric capacitor, with an area larger than that of the ferroelectric capacitor, and with a line width not larger than the width of the ferroelectric capacitor.
Anmelder
- Firmen
- Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
Fujitsu Semiconductor Limited - Land
- 🇯🇵 Japan
Der Anmelder war die Halbleitersparte des japanischen Fujitsu-Konzerns, deren Geschäft später in das Unternehmen Socionext überging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Datenspeicherung, Elektronik, Software und Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus dem Zeitraum 2000 bis 2015.
447 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München