Herstellung von Solarzellenvorrichtungen mit mehreren Übergängen
EP2831929
Art B1
5. Mai 2021
Anmelder: Soitec, Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2831929
- Aktenzeichen
- EP13717181
- Anmeldetag
- 13. März 2013
- Veröffentlichung
- 5. Mai 2021
- Erteilung
- 5. Mai 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/18H01L31/0687H01L31/0304C30B33/06C30B29/06H01L21/18H01L21/20H01L21/62
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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🇩🇪
Fraunhofer-Gesellschaft
Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.
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