Halbleiterlaminat und Verfahren zur Herstellung Davon, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, Halbleiterbauelement, Dotierungszusammensetzung, Dotierungsinjektionsschicht und Verfahren zur Formung einer Dotierten Schicht
EP2833391
Art A1
4. Februar 2015
Anmelder: Teijin Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2833391
- Aktenzeichen
- EP13768368
- Anmeldetag
- 29. März 2013
- Veröffentlichung
- 4. Februar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/208H01L21/225H01L21/336H01L29/786H01L31/04H01L31/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Teijin Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Teijin
Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Hochleistungsfasern, Kunststoffe und pharmazeutische Produkte. Das Unternehmen wurde 1918 als Textilhersteller gegründet.
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