Verbessertes Verfahren zur Herstellung von dotierten Zonen und/oder Zonen, die eine Spannung unter den Abstandhaltern eines Transistors ausüben
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, STMICROELECTRONICS SA 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2835832
- Aktenzeichen
- EP14180025
- Anmeldetag
- 6. August 2014
- Veröffentlichung
- 3. Juni 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66
Abstract
A method of producing a transistor comprising the steps of: - forming sacrificial zones (114a, 114b) in a semiconductor layer (103), on either side of a channel region of a transistor, - forming on said sacrificial zones (114a, 114b) insulating spacers (118a, 118b) against flanks of the gate of said transistor, - removing said sacrificial zones so as to form cavities (122a, 122b), the cavities extending on either side of said channel region and penetrating under said spacers (118a, 118b), - forming doped semiconductor material (123) in said cavities, said semiconductor material penetrating under said spacers (118a, 118b).
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
STMICROELECTRONICS SA - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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