Verfahren zur Herstellung eines Oxidfilms unter Verwendung eines Niedertemperaturverfahrens, Oxidfilm und Elektronische Vorrichtung dafür

EP2840590 Art A1 25. Februar 2015

Anmelder: Korea Electronics Technology Institute, Chung-Ang University Industry-Academy Cooperation Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2840590
Aktenzeichen: EP12874836
Anmeldetag: 30. November 2012
Veröffentlichung: 25. Februar 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/368H01L21/26H01L29/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Korea Electronics Technology Institute
Chung-Ang University Industry-Academy Cooperation Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Electronics Technology Institute

Staatlich gefördertes südkoreanisches Forschungsinstitut für Elektronik- und IT-Technologien mit Sitz in Seongnam, das Unternehmen bei Entwicklung und Kommerzialisierung neuer Technologien unterstützt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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