Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen SiC-Substrats mit einer CMP-behandelten polierten Oberfläche
Anmelder: Mitsui Mining and Smelting Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2843089
- Aktenzeichen
- EP13780614
- Anmeldetag
- 12. April 2013
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2024
- Erteilung
- 18. Dezember 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/36C09K3/14C30B33/00H01L29/34H01L21/02H01L29/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsui Mining and Smelting Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
Mitsui Mining and Smelting ist ein japanisches Unternehmen der Mitsui Gruppe für Metallverarbeitung und elektronische Materialien. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Metallurgie, mit einem Schwerpunkt auf Katalysatoren zur Abgasreinigung. Anmeldungen laufen von 2000 bis 2020.
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