Verfahren zur Herstellung eines Pmos-Transistors mit Niedriger Schwellspannung
EP2845219
Art B1
17. Juli 2019
Anmelder: Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft, ELMOS Semiconductor Aktiengesellschaft, ELMOS Semiconductor AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2845219
- Aktenzeichen
- EP13719455
- Anmeldetag
- 19. April 2013
- Veröffentlichung
- 17. Juli 2019
- Erteilung
- 17. Juli 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/266H01L29/10H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft
ELMOS Semiconductor Aktiengesellschaft
ELMOS Semiconductor AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Elmos Semiconductor
Elmos Semiconductor ist ein deutscher Halbleiterhersteller mit Sitz in Dortmund, spezialisiert auf integrierte Schaltungen für die Automobilindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Elektronik- und Kommunikationstechnik.
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