III-V Unipolare Heteroübergangsdiode mit niedriger Einschaltspannung und Verfahren zu deren Herstellung

EP2849229 Art B1 27. Februar 2019

Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2849229
Aktenzeichen
EP14185856
Anmeldetag
14. Mai 2012
Veröffentlichung
27. Februar 2019
Erteilung
27. Februar 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/205H01L29/861H01L21/329
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Northrop Grumman Systems Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

1.414 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen