Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP2856379 Art B1 12. Oktober 2016

Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2856379
Aktenzeichen: EP12877715
Anmeldetag: 30. Mai 2012
Veröffentlichung: 12. Oktober 2016
Erteilung: 12. Oktober 2016
Rechtsraum: EP
IPC: G06F21/57G06F21/72G06F21/62G06F21/71G06F21/79G09C1/00H04L9/08H04N21/426H04N21/4405H04N21/443H04N21/462

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Software & Datenverarbeitung

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