Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbeiter-Dünnschicht und Solarzelle mit Dieser Verbindungshalbleiter-Dünnschicht

EP2858119 Art A1 8. April 2015

Anmelder: Toppan Printing Co., Ltd., Tokyo Institute of Technology, Ryukoku University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2858119
Aktenzeichen: EP13796513
Anmeldetag: 28. Mai 2013
Veröffentlichung: 8. April 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/368H01L31/032H01L31/0352

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Toppan Printing Co., Ltd.
Tokyo Institute of Technology
Ryukoku University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toppan Printing

Japanischer Konzern für Druck- und Verpackungstechnologien mit Sitz in Tokio, seit 1900 tätig. Produziert zudem Displays, Halbleitermasken und Sicherheitsdrucke.

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🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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