Gate-Einstellbare Ferroelektrische Graphen-Hybridstruktur für Photonik und Plasmonik
EP2859628
Art B1
22. November 2017
Anmelder: National University of Singapore 🇸🇬
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2859628
- Aktenzeichen
- EP13800945
- Anmeldetag
- 6. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 22. November 2017
- Erteilung
- 22. November 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/06H01S3/127H01L51/00H01L33/00H01L27/15H01G9/20C23C16/01C23C16/26G02F1/35H01S3/067H01S3/11H01S3/094
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National University of Singapore
- Land
- 🇸🇬 Singapur
🇸🇬
National University of Singapore
Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.
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Vertreten von
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Høiberg P/S
Høiberg P/S · Copenhagen K
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