Verfahren zur Herstellung von Strukturen aus Leds oder Solarzellen

EP2865019 Art B1 1. August 2018

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2865019
Aktenzeichen: EP13728426
Anmeldetag: 14. Juni 2013
Veröffentlichung: 1. August 2018
Erteilung: 1. August 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/18H01L21/20H01L27/15H01L27/142H01L31/0304H01L31/075H01L31/18H01L31/02H01L33/00H01L33/62

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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