Verfahren zur Kollektiven Herstellung von Leuchtdioden und Struktur zur Kollektiven Herstellung von Leuchtdioden

EP2865021 Art B1 1. Februar 2017

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2865021
Aktenzeichen: EP13729948
Anmeldetag: 18. Juni 2013
Veröffentlichung: 1. Februar 2017
Erteilung: 1. Februar 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/38H01L27/15H01L33/20H01L33/62H01L31/02H01L31/075H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von