Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors vom nichtplanaren Typ

EP2866264 Art A1 29. April 2015

Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2866264
Aktenzeichen: EP13189609
Anmeldetag: 22. Oktober 2013
Veröffentlichung: 29. April 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/66H01L29/78H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IMEC VZW
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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