Verfahren zur Verwendung eines Sputtertargets und Verfahren zur Herstellung eines Oxidfilms

EP2867387 Art A1 6. Mai 2015

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2867387
Aktenzeichen: EP13810525
Anmeldetag: 17. Juni 2013
Veröffentlichung: 6. Mai 2015
Rechtsraum: EP
IPC: C23C14/34C23C14/08H01L21/363H01L21/8247H01L27/115H01L51/50H05B33/14C23C14/35

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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