Speicherzelle und Speichervorrichtung
EP2869304
Art B1
2. Januar 2019
Anmelder: The Swatch Group Research and Development Ltd. 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2869304
- Aktenzeichen
- EP13191675
- Anmeldetag
- 5. November 2013
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2019
- Erteilung
- 2. Januar 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C17/16G11C17/18
Abstract
The memory cell of a memory device comprises a MOS capacitor (14; 114) having a n-type gate and a n-type well, connected in series with a first switch (30; 130) to temporarily apply a breakthrough voltage (V M ) across the n-type gate and the n-type well to generate a permanent conductive breakthrough structure (22) between the n-type gate and the n-type well.
Anmelder
- Firma
- The Swatch Group Research and Development Ltd.
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
The Swatch Group Research and Development
Schweizer Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft des Swatch-Konzerns, zuständig für Innovationen in Uhrwerktechnik, Materialien und Fertigungsverfahren für die Uhrenmarken der Gruppe.
951 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Goulette, Ludivine
Neuchâtel, Schweiz
229
Patente gesamt
20
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Tournel, Maxime Jean-Joseph
NoneNeuchatel