Dünnschichttransistor mit Niedrigem Kontaktwiderstand
Anmelder: Evonik Operations GmbH, Evonik Degussa GmbH, Evonik Industries AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2874187
- Aktenzeichen
- EP13193037
- Anmeldetag
- 15. November 2013
- Veröffentlichung
- 1. Januar 2020
- Erteilung
- 1. Januar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/417H01L29/45H01L29/786H01L29/66H01L21/02H01L23/31
Abstract
The present invention relates to a novel thin film transistor (TFT) comprising a substrate (100) with a gate electrode layer (101) deposited and patterned thereon and a gate insulator layer (102) deposited on the gate electrode layer and the substrate, characterized in that the transistor further comprises (i) a carrier injection layer (103) arranged above the gate insulator layer, (ii) a source/drain (S/D) electrode layer (104) deposited on the carrier injection layer, and (iii) a semiconductor layer (106), methods for the production of such novel TFTs, devices comprising such TFTs, and to the use of such TFTs.
Anmelder
- Firmen
- Evonik Operations GmbH
Evonik Degussa GmbH
Evonik Industries AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutscher Spezialchemiekonzern mit Sitz in Essen. Entwickelt und produziert Chemikalien, Additive und Materialien für Industrie, Gesundheit, Ernährung und Konsumgüter.
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Evonik Industries ist ein deutscher Spezialchemiekonzern mit breitem Produktportfolio. Der Patentbestand konzentriert sich auf Kunststoff- und Polymertechnik sowie organische Chemie, ergänzt durch Klebstoffe und Pharmatechnik. Die Anmeldungen aus 2003 bis 2020 betreffen unter anderem hyperverzweigte Polymere für Schmierstoffe und dynamische chemische Netzwerke.
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