Lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einer Lichtextraktionsoberfläche senkrecht zur Stapelfläche der Halbleiterschicht und Verfahren zur Herstellung davon
EP2874190
Art B1
18. September 2019
Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2874190
- Aktenzeichen
- EP14193319
- Anmeldetag
- 14. November 2014
- Veröffentlichung
- 18. September 2019
- Erteilung
- 18. September 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/46// H01L33/50H01L33/58
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nichia Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nichia
Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Betten & Resch
Betten & Resch · München