Ätzverfahren und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstratprodukts und Halbleiterbauelement damit sowie Kit zur Herstellung einer Ätzflüssigkeit
EP2875520
Art A1
27. Mai 2015
Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2875520
- Aktenzeichen
- EP13819335
- Anmeldetag
- 17. Juli 2013
- Veröffentlichung
- 27. Mai 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3213C09K13/00C09K13/06// H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJIFILM Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujifilm
Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.
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Vertreten von
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Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München