Ätzverfahren und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstratprodukts sowie Halbleiterbauelement damit

EP2875521 Art B1 11. März 2020

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2875521
Aktenzeichen: EP13819989
Anmeldetag: 17. Juli 2013
Veröffentlichung: 11. März 2020
Erteilung: 11. März 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/3213// H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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