Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP2876679
Art A3
12. August 2015
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2876679
- Aktenzeichen
- EP14187829
- Anmeldetag
- 6. Oktober 2014
- Veröffentlichung
- 12. August 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/485H01L21/66H01L23/58H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Moore, Graeme Patrick
London, Großbritannien
1.021
Patente gesamt
32
Fachgebiete
15
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Calderbank, Thomas Roger
NoneLondon