Verfahren zur Entfernung einer Schutzschicht aus Polykristallinem Silicium auf einer Igbt-Rückseite mit Feldkonfektionierung
Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd., CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2879168
- Aktenzeichen
- EP13822946
- Anmeldetag
- 25. Juli 2013
- Veröffentlichung
- 10. März 2021
- Erteilung
- 10. März 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739H01L21/331H01L21/3105H01L21/04H01L21/3213
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd. - Land
- 🇨🇳 China
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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Fachgebiete
Stuttgarter Kanzlei, die Patentanwälte und Rechtsanwälte unter einem Dach vereint, registriert beim Deutschen Patent- und Markenamt sowie beim EUIPO in Alicante. Als Vertreter vor dem Einheitlichen Patentgericht zugelassen, mit Auslandsnetzwerken unter dem Motto „Your innovation is in good hands“.