Verfahren zur Herstellung einer Passivierungsschicht für eine Mos-Vorrichtung und Mos-Vorrichtung

EP2879172 Art A1 3. Juni 2015

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2879172
Aktenzeichen: EP13822224
Anmeldetag: 25. Juli 2013
Veröffentlichung: 3. Juni 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L21/00H01L23/535H01L23/00H01L21/02H01L23/31

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von